Samsung trước đó được cho là đã chi 10 tỷ USD (gần 78.000 Rs.) để xây dựng một xưởng đúc 3nm ở Texas vào năm ngoái.


Samsung dự kiến ​​sẽ công bố việc bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3nm vào tuần tới. Làm như vậy, công ty sẽ vượt qua TSMC, công ty có sản xuất chip 3nm dự kiến ​​sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm nay.

Theo một báo cáo từ GSM Arena trích dẫn Yonhap News, so với quy trình 5nm của nó, nút 3nm của Samsung sẽ giảm 35% diện tích, tăng 30% hiệu suất hoặc giảm 50% điện năng tiêu thụ (đó là được sử dụng cho Snapdragon 888 và Exynos 2100).

Bằng cách chuyển sang thiết kế Gate-All-Around (GAA) cho bóng bán dẫn, điều này sẽ được thực hiện. Xưởng đúc có thể thu nhỏ các bóng bán dẫn mà không ảnh hưởng đến khả năng mang dòng điện của chúng, đây là bước tiếp theo sau FinFET. Hương vị MBCFET là thiết kế GAAFET được sử dụng trong nút 3nm.

Tháng trước, Phó Tổng thống Mỹ Joe Biden đã có chuyến thăm đến cơ sở của Samsung ở Pyeongtaek để xem trình diễn về công nghệ 3nm của công ty. Có tin đồn rằng công ty có thể chi 10 tỷ đô la (gần 78.000 Rs.) Để xây dựng một xưởng đúc 3nm ở Texas vào năm ngoái. Nhà máy được cho là sẽ bắt đầu hoạt động vào năm 2024, với số vốn đầu tư đã lên đến 17 tỷ đô la (gần 1.32.000 Rs.).

Công ty cho biết vào tháng 10 năm ngoái, sản lượng của quy trình 3nm của Samsung đang "đạt đến mức tương tự với quy trình 4nm". Các nhà phân tích tin rằng nút 4nm của Samsung gặp vấn đề nghiêm trọng về năng suất mặc dù công ty chưa bao giờ cung cấp số liệu thống kê chính thức.

Nút 2nm dựa trên MBCFET cũng được đưa vào lộ trình của công ty cho năm 2023, cùng với nút 3nm thế hệ thứ hai vào năm 2025.

Pencil